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    ME-L 穆勒矩陣橢偏儀
    ME-L 是一款科研級全自動高精度穆勒矩陣型橢偏儀,凝聚了頤光科研團隊在橢偏技術多年的投入,其采用行業前沿的創新技術,包括消色差補償器、雙旋轉補償器同步控制、穆勒矩陣數據分析等。 可應用于各種各向同性/異性薄膜材料膜厚、光學納米光柵常數以及一...
  • 一、概述

    ME-L 是一款科研級全自動高精度穆勒矩陣型橢偏儀,凝聚了頤光科研團隊在橢偏技術多年的投入,其采用行業前沿的創新技術,具備  全穆勒矩陣測量技術,  雙旋轉補償器同步控制技術, 超級消色差補償器設計技術, 納米光柵表征測量技術   等領先技術??蓱糜诟鞣N各向同性/異性薄膜材料膜厚、光學納米光柵常數以及一維/二維納米光柵材料結構的表征分析,代表當今橢偏行業高精尖技術水平。

    ■ 雙旋轉補償器(DRC)配置一次測量全部穆勒矩陣16個元素;

    ■ 配置自動變角器、五維樣件控制平臺等優質硬件模塊;

    ■ 軟件交互式界面配合輔助向導式設計,易上手、操作便捷;

    ■ 豐富的數據庫和幾何結構模型庫,保證強大數據分析能力


    二、產品特點

    ■ 采用氘燈和鹵素燈復合光源,光譜覆蓋紫外到近紅外范圍 (193-2500nm);

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    ■ 可實現穆勒矩陣數據處理,測量信息量更大,測量速度快、數據更加精準;

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    ■ 基于雙旋轉補償器配置,可一次測量獲得全穆勒矩陣的16個元素,相對傳統光譜橢偏儀可獲取更加豐富全面測量信息;

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    ■ 頤光核心技術確保在寬光譜范圍內,提供優質穩定的各波段光譜;

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    ■ 數百種材料數據庫、多種算法模型庫,涵蓋了目前絕大部分的光電材料;

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    ■ 集成對納米光柵的分析,可同時測量分析納米結構周期、線寬、線高、側壁角、粗糙度等幾何形貌信息;

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    三、產品應用

    ■ 半導體薄膜結構:介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜,激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等;

    ■ 半導體周期性納米結構:納米光柵,套刻誤差,T型相變存儲器等;

    ■ 新材料,新物理現象研究:材料光學各向異性,電光效應、彈光效應、聲光效應、磁光效應、旋光效應、Kerr效應、Farady效應等;

    ■ 平板顯示:TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等;

    ■ 光伏太陽能:光伏材料(如Si3N4、Sb2Se3、Sb2S3、CdS等)反射率,消光系數測量,膜層厚度及表面粗糙度測量等;

    ■ 功能性涂料:增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學涂層,以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等;

    ■ 生物和化學工程:有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理等;

    ■ 塊狀材料分析:固體(金屬、半導體、介質等)或液體(純凈物或混合物)的折射率n和消光系數k表征,玻璃新品研發和質量控制等。


    建議配件

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    溫控臺Mapping擴展模塊真空泵透射吸附組件
  • ME-L.JPG

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      發布時間:2021-08-08 15:06

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