全穆勒矩陣測量技術
完全自主研發代表行業橢偏測量技術領先的全穆勒矩陣測量技術 相較于傳統光譜橢偏儀只能改變“波長”和“入射角”2個測量條件并在每一測量條件下只能獲取振幅比Psi與相位差Delta2個測量參數相比，
穆勒矩陣橢偏儀（Muller matrix ellipsometry，MME）可以改變波長、入射角和方位角3個測量條件，而已在每一測量條件下都可以獲得一組4×4階穆勒矩陣共16個參數，因此可以獲得更為豐富的測量信息。
兩種技術差異還體現在：
傳統光譜橢偏儀基于瓊斯矢量僅限于描述完全偏振光，不能描述部分偏振光或非偏振光。而具備全穆勒矩陣橢偏技術，針對樣品（或光學元件）可以使用斯托克斯–穆勒矩陣來表示。這種情況中，每個光束由構成斯托克斯矢量的四個實際強度描述，而4×4穆勒矩陣表示光的變換。對于斯托克斯-穆勒矩陣，各向同性樣本非對角線2×2塊為零（由于p和s波之間不存在交叉極化），如圖：
因此通過”全穆勒矩陣測量技術“所研制出來的穆勒矩陣橢偏儀所擁有常規的光譜橢偏儀難以比擬的技術優勢： 
雙旋轉補償器同步控制技術
（基于雙旋轉補償器(DRC, dual rotating compensator)配置的廣義橢偏儀可以一次測量獲得全部穆勒矩陣的 16 個元素，并且適合寬波段的要求）雙旋轉補償器同步控制調制技術：基于PCr1SCr2A結構，通過同步控制旋轉Cr1/Cr2進行調制，可一次性得到全穆勒矩陣16元素。從左往右的穆勒矩陣分別對應于起偏器、第一補償器、樣品、第二補償器、檢偏器。其中，對應于起偏器、補償器、檢偏器的穆勒矩陣是歸一化的。
超級消色差補償器設計技術
（頤光科技“超級消色差復合玻片設計”技術消除光在補償器件中相位延遲，并完美覆蓋寬波段的要求）雙旋轉補償器同步控制調制技術：基于PCSA/PCr1SCr2A兩種旋轉補償器橢偏調制技術的橢偏測量技術架構中，λ／４波片是一種常用的位相延遲器件，通常由多種不同材料的雙折射晶體組成，由于不同材料的色散不一樣，因此可以在很寬的波長范圍內產生相位延遲。
頤光科技團隊針對覆蓋深紫外到近中紅外波段范圍，設計復合式多玻片方案配合嚴苛的加工工藝技術，實現寬光譜相位延遲達到理想范圍內，保障全光譜橢偏測量絕對精度。
超小微光斑探測技術
自主獨立研發出行業領先的超小微光斑測量技術【30μm超微光斑】基于頤光科技強大機械/光路設計能力配合領先算法的開發技術，研制出30μm超微光斑測量技術，并穩定應用在國內領先知名大型的OLED生產企業中應用于OELD工藝段薄膜物性的在線連續監測。
透明基底消背反測量技術
（基于微光斑+光學自準直儀配置，加持消背反光路設計，可直接消除半透明/透明背面反射“無效”橢偏信息）頤光科技消背反測量技術：消背反原理：基于已設計消背反光路儀器方案，利用光學自準直儀標平光學測量角度，從基底反射無效信息無法進入微光斑進光孔
解決方法：配置光學自準直儀，加裝微光斑（200μm/100μm/30μm規格可選）
須知：針對不同基底厚度+基底折射率需配置不同規格微光斑
納米光柵表征測量技術
（頤光科技獨具優勢市場化領先表征技術，利用全穆勒矩陣測量技術去表征納米光柵結構信息）“納米光柵結構信息”橢偏表征獨特技術：基于頤光科技創新技術“嚴格耦合波”算法，通過測量更全更強大的穆勒矩陣橢偏儀，同時測量在“角度”，“波長”，“方位角”條件下全穆勒矩陣16元素。
配合“360°自動旋臺”基于“穆勒矩陣輔對角元素”查找光柵方位角0/90deg得到光柵穆勒矩陣橢偏光譜。利用Grating算法模型最終獲取納米光柵結構中周期Period、線寬Top-CD、底寬Bottom-CD、線高Thickness、側壁角Offset、粗糙度Roughness等幾何形貌信息；
（穆勒矩陣表征納米光柵示意圖）
（典型納米結構表征案例）
（具有殘膠厚度不均勻性的納米壓印光柵樣件及其退偏指數的測量與模型計算擬合結果）
